用高副低代法求解

用高副低代法求解

由于一个平面运动高副有一个约束条件而一个具有二个平面运动低副的构件也具有一个约束条件因而可将高副机构用瞬时运动特性相当的低副机构来代替然后按表矢量图解法或解析法来分析。代换的方法如下:

(1)求出高副接触处P点的两个曲率中心BC 和两个曲率半径ρ1ρ2ρ1BPρ2CP(右图a)

(2)以杆长为LBCρ1+ρ2的杆用两个回转副在BC 处与杆13相拼接,得到低副机构ABCD。当ρ2(ρ1)为无穷大时,则一个回转副变为移动副(右图cd);当ρ2(ρ1)为零,则一个回转副即在高副接触处(右图b)。由于一般高副机构中高副接触处的曲率半径是随机构位置的变化而变化的,所以在不同瞬时的相当低副机构的构件尺寸是不同的,应予注意